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| 名称 | 霍尔效应测试仪 |
| 概述 | 介绍霍尔效应测试仪，主要用于研究半导体材料/光电材... |
| 参数 | |
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霍尔效应测试仪，主要用于研究半导体材料/光电材料的电学特性，可以测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型。而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试
仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。
1.半导体材料：SiGe， S1C， InAs， InGaAs， InP， A1GaAs， HgCdTe和铁氧体材料等等。
2.低阻抗材料：金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等。
3.高阻抗材料：半绝缘的GaAs, GaN, CdTe等。
